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HMC1055LP2CETRRF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC1055LP2CETR |
| 参数属性 | HMC1055LP2CETR 封装/外壳为8-VFDFN 裸露焊盘，CSP；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPST 4GHZ 8DFN |
| 功能描述 | 0.5 GHz to 4.0 GHz, GaAs, SPST Switch |
| 封装外壳 | 8-VFDFN 裸露焊盘，CSP |
| 文件大小 |
289.02 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 18:03:00 |
| 人工找货 | HMC1055LP2CETR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC1055LP2CETR规格书详情
HMC1055LP2CETR属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC1055LP2CETR射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC1055LP2CETR
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
托盘
- 射频类型：
WiMax，WLAN
- 拓扑：
反射
- 电路：
SPST
- 频率范围：
0Hz ~ 4GHz
- 隔离：
28dB
- 插损：
1.8dB
- 测试频率：
4GHz
- IIP3：
63dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 电压 - 供电：
1.2V ~ 5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
8-VFDFN 裸露焊盘，CSP
- 供应商器件封装：
8-LFCSP（2x2）
- 描述：
IC RF SWITCH SPST 4GHZ 8DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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