GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器SMT，24 - 43.5 GHz

HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为24至43.5 GHz，提供23 dB的小信号增益，2.2 dB的噪声系数，+22 dBm的输出IP3，同时所需电源范围仅为70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多Hittite平衡、I/Q和镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且内部匹配至50 Ohms的I/O，非常适合高容量微波无线电和VSAT应用。 \n应用 低噪声系数： 2.2 dB \n高增益： 23 dB \nP1dB输出功率： +12 dBm \n单电源电压： +2.5V (70mA) \n输出IP3： +22 dBm \n50 Ohm匹配输入/输出 \n16引脚3x3 mm SMT封装： 16mm² ;

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20 GHz to 44 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier

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Industrial Sensors

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20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器，工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能，并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3)，只需要 65 mA 电流，2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱 • 低噪声指数：2 dB（典型值）\n\n• 高增益：25.0 dB（典型值）\n\n• P1dB 输出功率：13.5 dBm，24 GHz 至 40 GHz\n\n• 高输出 IP3：25.5 dBm（典型值）\n\n• 裸片尺寸：1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm;

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GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器SMT，24 - 43.5 GHz

HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为24至43.5 GHz，提供23 dB的小信号增益，2.2 dB的噪声系数，+22 dBm的输出IP3，同时所需电源范围仅为70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多Hittite平衡、I/Q和镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且内部匹配至50 Ohms的I/O，非常适合高容量微波无线电和VSAT应用。 \n\n应用\n\n 点对点无线电 测试仪器仪表 SatCom应答器和VSAT • 低噪声系数： 2.2 dB \n\n• 高增益： 23 dB \n\n• P1dB输出功率： +12 dBm \n\n• 单电源电压： +2.5V (70mA) \n\n• 输出IP3： +22 dBm \n\n• 50 Ohm匹配输入/输出 \n\n• 16引脚3x3 mm SMT封装： 16mm²;

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