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HMC-SDD112数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF
HMC-SDD112规格书详情
描述 Description
HMC-SDD112是一款基于GaAs PIN二极管的单芯片单刀双掷(SPDT)MMIC 开关，具有低插入损耗和高隔离特性。 这款全分流式MMIC SPDT集成片上直流模块和直流偏置电压耦合电路。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，PIN二极管器件已完全钝化以实现可靠操作。
HMC-SDD112 GaAs PIN SPDT可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
特性 Features
• 低插入损耗： 2 dB
• 高隔离度： 30 dB
• 隔直RF I/O
• 集成直流偏置电路
• 裸片尺寸： 2.01 x 0.975 x 0.1 mm
应用 Application
• FCC E波段通信系统
• 短程/高容量无线电
• 汽车雷达
• 测试和测量设备
• 卫星通信
• 传感器
简介
HMC-SDD112属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC-SDD112射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC-SDD112
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
散装
- 射频类型：
雷达
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
55GHz ~ 86GHz
- 隔离：
30dB
- 插损：
2dB
- 测试频率：
86GHz
- 阻抗：
50 欧姆
- 工作温度：
-55°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 86GHZ DIE
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