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HMC-MDB172

I/Q混频器/IRM芯片,19 - 33 GHz; • 宽IF带宽: DC - 5 GHz \n\n• 高镜像抑制: 35 dB \n\n• LO至RF高隔离: 28 dB;

HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 \n\n 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB172 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 \n\n

ADIAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC-MDB172

GaAs MMIC I/Q MIXER 19 - 33 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC-MDB172

GaAs MMIC I/Q MIXER 19 - 33 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC-MDB172

Point-to-Point Radios

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC-MDB172

Package:模具;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频混频器 描述:IC MMIC IQ MIXER DIE

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC-MDB172_09

GaAs MMIC I/Q MIXER 19 - 33 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

产品属性

  • 产品编号:

    HMC-MDB172

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 射频类型:

    VSAT

  • 频率:

    19GHz ~ 33GHz

  • 辅助属性:

    升频器

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC MMIC IQ MIXER DIE

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更多HMC-MDB172供应商 更新时间2025-7-29 8:24:00