低噪声放大器芯片，35 - 45 GHz

HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片，工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率（1 dB增益压缩），采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²)，这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 \n\n 应用 \n\n 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 • 噪声系数： 2 dB \n• 增益： 16 dB (40 GHz) \n• P1dB输出功率： +6 dBm \n• 电源电压： +4V (87 mA) \n• 裸片尺寸： 2.7 x 1.44 x 0.1 mm ;

ADI

亚德诺

PNP SILICON TRANSISTOR

APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications

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Huashan

华汕电子器件

Variable Capacitance Diode for VCO

Features • High capacitance ratio (n=4.3min) and good C-V linearity. • High Q circuit can be composed due to low series resistance. (rs=0.8Ωmax) • To be usable at low voltage. • Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Variable Capacitance Diode for VCO

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RENESAS

瑞萨