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HMC-ALH102中文资料PDF规格书

HMC-ALH102
厂商型号

HMC-ALH102

参数属性

HMC-ALH102 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 2GHZ-20GHZ DIE

功能描述

GaAs HEMT MMIC WIDEBAND LOW NOISE AMPLIFIER, 2 - 20 GHz

文件大小

181.01 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 HITTITE
企业简称

Hittite

中文名称

HITTITE官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 21:07:00

HMC-ALH102规格书详情

General Description

The HMC-ALH102 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Distributed Amplifi er die which operates between 2 and 20 GHz. The amplifi er provides 11.6 dB of gain at 10 GHz, 2.5 dB noise fi gure and +10 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 55 mA from a +2V supply voltage. The HMCALH102 amplifi er is ideal for integration into MultiChip-Modules (MCMs) due to its small size.

Features

Noise Figure: 2.5 dB

Gain: 11.6 dB @ 10 GHz

P1dB Output Power: +10 dBm

Supply Voltage: +2V @ 55 mA

Die Size: 3.0 x 1.435 x 0.1 mm

Typical Applications

This HMC-ALH102 is ideal for:

• Wideband Communications Receivers

• Surveillance Systems

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Military & Space

• Test Instrumentation

产品属性

  • 产品编号:

    HMC-ALH102

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    2GHz ~ 20GHz

  • P1dB:

    10dBm

  • 增益:

    10dB

  • 噪声系数:

    2.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    2V

  • 电流 - 供电:

    55mA

  • 测试频率:

    2GHz ~ 20GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP GP 2GHZ-20GHZ DIE

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