Gaas HEMT MMIC MEDIUM POWER amplifier

General Description The HmC-aBH241 is a four stage Gaas HemT mmiC medium Power ampliier which operates between 50 and 66 GHz. The HmC-aBH241 provides 24 dB of gain, and an output power of +17 dBm at 1dB compression from a +5V supply voltage. all bond pads and the die backside are Ti/Au metallized

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GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 50 - 66 GHz

General Description The HMC-ABH241 is a four stage GaAs HEMT MMIC Medium Power Amplifi er which operates between 50 and 66 GHz. The HMC-ABH241 provides 24 dB of gain, and an output power of +17 dBm at 1dB compression from a +5V supply voltage. All bond pads and the die backside are Ti/Au metalliz

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Active Bias Controller High Current

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GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 50 - 66 GHz

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中等功率放大器芯片，50 - 66 GHz

THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益，采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率（1dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 \n\n HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n应用\n\n 短程/高容量链路 无线LAN网桥 • 输出IP3： +25 dBm \n\n• P1dB： +17 dBm \n\n• 增益： 24 dB \n\n• 电源电压： +5V \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 裸片尺寸： 3.2 x 1.42 x 0.1 mm;

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GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 50 - 66 GHz

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GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 50 - 66 GHz

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中等功率放大器芯片，50 - 66 GHz

THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益，采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率（1dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 \n\n HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n应用\n\n 短程/高容量链路 无线LAN网桥 • 输出IP3： +25 dBm \n• P1dB： +17 dBm \n• 增益： 24 dB \n• 电源电压： +5V \n• 50 Ω匹配输入/输出 \n• 裸片尺寸： 3.2 x 1.42 x 0.1 mm ;

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