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IN-S121ASR	文件：2.32435 Mbytes Page：15 Pages	SMDLED1208PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IN-S121ASUW	文件：2.32435 Mbytes Page：15 Pages	SMDLED1208PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IN-S121ASY	文件：2.32435 Mbytes Page：15 Pages	SMDLED1208PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IN-S121ASYG	文件：2.32435 Mbytes Page：15 Pages	SMDLED1208PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IN-S121DASRYG	文件：970.65 Kbytes Page：12 Pages	SMDLED3210PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IN-S121DBSRYG	文件：969.15 Kbytes Page：12 Pages	SMDLED3210PCBType	INOLUXInolux Corporation 英诺斯	INOLUX
IPC121	文件：488.74 Kbytes Page：2 Pages	1PCIor1PCIeslot	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
IRF121	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF121	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF121	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFD121	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
IRFF121	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
IRFR121	文件：320.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU121	文件：344.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IS121	文件：662.54 Kbytes Page：6 Pages	HIGHDENSITYMOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLYCOUPLEDISOLATORS DESCRIPTION TheIS121isanopticallycoupledisolatorconsistingofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES •MarkedasFPT1. •CurrentTransferRatioMIN.50 •IsolationVoltage(3.75kVRMS,5.3kVPK) •Allel	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM

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详细参数

型号：
HMA121E
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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