HM80N03A规格书应用电路供应代理第2页-114ic电子网

首页 >HM80N03A>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NP80N03CDE	文件：372.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03CLE	文件：96.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03CLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03CLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03CLE	文件：372.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03DDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03DDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03DDE	文件：281.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03DLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03DLE	文件：96.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

<<<123 4 5 6 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM80N03D	NK/南科功率	2025+	DFN5X6-8L	986966	国产	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM80N03I	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HM80N03I	H	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HM80N03I	H	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	HM80N03I	VBsemi	21+	TO251	10026	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HM80N03I	HMSEMI	23+	TO-251	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HM80N03I	HMSEMI	23+	TO-251	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	HM80N03I	VBsemi	23+	TO251	10065	原装正品,有挂有货,假一赔十	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HM80N03I	H	25+	TO-251	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	HM80N03I	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO251	60000	全新原装现货	询价

更多HM80N03A供应商更新时间2025-5-22 14:06:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号