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HM62W8512BI	文件：58.83 Kbytes Page：14 Pages	4 M SRAM (512-kword x 8-bit) Description TheHitachiHM62W8512BIisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.HM62W8512BISerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.TheHM62W8512BISeriesofferslowpowerstandbypowerdissipation;therefor	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM62W8512BI	文件：80.11 Kbytes Page：15 Pages	4 M SRAM (512-kword 쨈 8-bit) Description TheHitachiHM62W8512BIisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.HM62W8512BISerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.TheHM62W8512BISeriesofferslowpowerstandbypowerdissipation;therefor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HM62W8512BI_15	文件：105.61 Kbytes Page：17 Pages	4 M SRAM (512-kword 쨈 8-bit)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HM62W8512B	文件：80.99 Kbytes Page：16 Pages	4MSRAM(512-kwordx8-bit) Description TheHitachiHM62W8512Bisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemploying0.35µmHi-CMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-milTSOPTYPEIIi	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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