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HM62W8512B中文资料日立数据手册PDF规格书

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厂商型号

HM62W8512B

功能描述

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

文件大小

80.99 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

Hitachi Hitachi Semiconductor

中文名称

日立 日立公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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HM62W8512B规格书详情

描述 Description

The Hitachi HM62W8512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS process technology. The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II is available for high density mounting. The HM62W8512B is suitable for battery backup system.

特性 Features

• Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

• Access time: 55/70 ns (max)

• Power dissipation

- Active: 16.5 mW/MHz (typ)

- Standby: 3.3 µW (typ)

• Completely static memory. No clock or timing strobe required

• Equal access and cycle times

• Common data input and output: Three state output

• Directly LV-TTL compatible: All inputs and outputs

• Battery backup operation

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