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HM628512CLTT-7	文件：84.31 Kbytes Page：17 Pages	4 M SRAM (512-kword x 8-bit) Description TheHitachiHM628512Cisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-milTSOPTYPEIIor600-mil	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM628512CLTT-7	文件：109.67 Kbytes Page：19 Pages	4 M SRAM (512-kword 쨈 8-bit) Description TheHitachiHM628512Cisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-mi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HM628512CLTT-7SL	文件：84.31 Kbytes Page：17 Pages	4 M SRAM (512-kword x 8-bit) Description TheHitachiHM628512Cisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-milTSOPTYPEIIor600-mil	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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HM628512CLTT-7

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4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

Description TheHitachiHM628512Cisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-milTSOPTYPEIIor600-mil

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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4 M SRAM (512-kword 쨈 8-bit)

Description TheHitachiHM628512Cisa4-MbitstaticRAMorganized512-kword×8-bit.Itrealizeshigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Thedevice,packagedina525-milSOP(footprintpitchwidth)or400-mi

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Hitachi

详细参数

型号：
HM628512CLTT-7
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
4 M SRAM(512-kword ′ 8-bit)

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更多HM628512CLTT-7供应商更新时间2025-7-26 10:21:00

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