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HM628512ALTT-5中文资料日立数据手册PDF规格书

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厂商型号

HM628512ALTT-5

功能描述

4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT)

文件大小

552.92 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

Hitachi Hitachi Semiconductor

中文名称

日立 日立公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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HM628512ALTT-5规格书详情

描述 Description

The Hitachi HM628512A is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword ×8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS process technology. The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP, is available for high density mounting. The HM628512A is suitable for battery backup system.

特性 Features

• Single 5 V supply

• Access time: 55/70 ns (max)

• Power dissipation

 Active: 50 mW/MHz (typ)

 Standby: 10 µW (typ)

• Completely static memory. No clock or timing strobe required

• Equal access and cycle times

• Common data input and output: Three state output

• Directly TTL compatible: All inputs and outputs

• Battery backup operation

产品属性

  • 型号:

    HM628512ALTT-5

  • 制造商:

    HITACHI

  • 制造商全称:

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述:

    4M SRAM(512 KWORD X 8 BIT)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
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