256 k High Speed SRAM (256-kword x 1-bit)

Features · Single 5 V supply and high density 24-pin package · High speed Access time: 25/35/45 ns (max) · Low power ¾ Operation: 300 mW (typ) ¾ Standby: 100 μW (typ) 30 μW (typ) (L-version) · Completely static memory required, no clock or timing strobe required · Equal access and

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HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

DIP28

HIT

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DIP-28

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

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DIP-32

HITACHI/日立

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5.7x5.7x2.0mm

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