256 k High Speed SRAM (256-kword x 1-bit)

Features · Single 5 V supply and high density 24-pin package · High speed Access time: 25/35/45 ns (max) · Low power ¾ Operation: 300 mW (typ) ¾ Standby: 100 μW (typ) 30 μW (typ) (L-version) · Completely static memory required, no clock or timing strobe required · Equal access and

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HitachiHitachi Semiconductor

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DIP28

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