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HM4N60数据手册HmpowerSemi中文资料规格书

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厂商型号

HM4N60

功能描述

高压MOS

制造商

HmpowerSemi Hongmei Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

虹美功率 深圳市虹美功率半导体有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HM4N60

  • 生产厂家

    :HmpowerSemi

  • 封装(Package)

    :TO-251

  • 沟道(Polarity)

    :N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V)

    :600.00V

  • ID(Max)ID(A)

    :4.00A

  • IDM

    :16.00A

  • VTH(Typ)

    :3.00V

  • VGS

    :30.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)

    :1.70mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible)

    :FQP4N60/FQN4N60/UTC4N60/STP4N60

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
H&M
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