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NP180N04TUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP180N04TUK	文件：253.03 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N04TUK	文件：759.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
WSK180N04	文件：671.28 Kbytes Page：7 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK

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