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IRFNJ5305	文件：22.46 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305	文件：3.75106 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR5305	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR5305PBF	文件：248.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305PBF	文件：3.86247 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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