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NCV8405A	文件：300.15 Kbytes Page：15 Pages	Self-ProtectedLowSideDriverwithTemperatureandCurrentLimit NCV8405A/BisathreeterminalprotectedLow−SideSmart Discretedevice.Theprotectionfeaturesincludeovercurrent, overtemperature,ESDandintegratedDrain−to−Gateclampingfor overvoltageprotection.Thisdeviceissuitableforharshautomotive environments. Features Short−CircuitPro	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NCV8405ADTRKG	文件：255.08 Kbytes Page：12 Pages	Self-ProtectedLowSideDriverwithTemperatureandCurrentLimit NCV8405A/BisathreeterminalprotectedLow−SideSmart Discretedevice.Theprotectionfeaturesincludeovercurrent, overtemperature,ESDandintegratedDrain−to−Gateclampingfor overvoltageprotection.Thisdeviceissuitableforharshautomotive environments. Features •Short−CircuitP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV8405ADTRKG	文件：300.15 Kbytes Page：15 Pages	Self-ProtectedLowSideDriverwithTemperatureandCurrentLimit NCV8405A/BisathreeterminalprotectedLow−SideSmart Discretedevice.Theprotectionfeaturesincludeovercurrent, overtemperature,ESDandintegratedDrain−to−Gateclampingfor overvoltageprotection.Thisdeviceissuitableforharshautomotive environments. Features Short−CircuitPro	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV8405B	文件：255.08 Kbytes Page：12 Pages	Self-ProtectedLowSideDriverwithTemperatureandCurrentLimit NCV8405A/BisathreeterminalprotectedLow−SideSmart Discretedevice.Theprotectionfeaturesincludeovercurrent, overtemperature,ESDandintegratedDrain−to−Gateclampingfor overvoltageprotection.Thisdeviceissuitableforharshautomotive environments. Features •Short−CircuitP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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