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HKW40N120FHEQ中文资料1200V 40A High-speed IGBT Power Transistor数据手册WATECH规格书

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厂商型号

HKW40N120FHEQ

功能描述

1200V 40A High-speed IGBT Power Transistor

制造商

WATECH Suzhou Huatai Electronics CO., Ltd.

中文名称

华太电子 苏州华太电子技术股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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HKW40N120FHEQ规格书详情

描述 Description

SHF采用超级结IGBT技术,性能与友商最新H7系列相当,硬开关频率可达40KHz,电流等级提升至140A。SC版本具备出色的短路耐受能力,达到13微秒,适用于电机驱动等应用场景。FHF采用FS工艺,目前已大量供应至光伏领域的头部客户。

特性 Features

•Ultra-low switching losses
•Ultra-low static losses
• Internal integrated fast&soft recovery anti-parallel FRD
• Maximum junction temperature 175℃
• Qualified according to JEDEC and AEC Q101
• RoHS compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :HKW40N120FHEQ

  • 生产厂家

    :WATECH

  • 电流

    :40 A

  • VCE_SAT/EOFF@Tc=25℃

    :1.66V/2.1mJ

  • IGBT类型

    :FHF

  • 合封二极管

    :FULL/AECQ

  • Status

    :MP

  • IGBT工艺

    :FS

  • Package

    :TO-247-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HKW
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