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HITK0203MPTL-HQ	文件：90.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 68 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5 V gate drive 文件：90.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HITK0203MPTL-HQ	文件：104.54 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：104.54 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HO-NP-0203	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	Current Transducer 文件：929.58 Kbytes 页数：12 Pages	LEM 莱姆	LEM
HO-P-0203	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	Current Transducer 文件：1.33861 Mbytes 页数：15 Pages	LEM 莱姆	LEM
HRC0203B	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying Features • Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying. • Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design. 文件：30.91 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

更多HITK0203MPTL-HQ供应商更新时间2025-10-5 11:00:00