HIP6603BECB-T_集成电路（IC）栅极驱动器-Renesas Electronics America Inc

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厂家型号：
HIP6603BECB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）栅极驱动器
封装外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-1 14:13:00

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原厂料号：HIP6603BECB-T品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

HIP6603BECB-T是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘的HIP6603BECB-T栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
hip6603becb-t
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

产品属性

类型
描述
产品编号：
HIP6603BECB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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HIP6603BECB-T

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