HIP6601数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF
| 厂商型号 |
HIP6601 |
| 参数属性 | HIP6601 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 22:58:00 |
| 人工找货 | HIP6601价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HIP6601规格书详情
描述 Description
Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers
The HIP6601 and HIP6603 are high frequency, dual MOSFET drivers specifically designed to drive two power
N-Channel MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology. These drivers combined with a HIP630x Multi-Phase Buck PWM controller and Intersil UltraFETs™ form a complete core-voltage regulator solution for
advanced microprocessors.
特性 Features
• Drives Two N-Channel MOSFETs
• Adaptive Shoot-Through Protection
• Internal Bootstrap Device
• Supports High Switching Frequency
- Fast Output Rise Time
- Propagation Delay 30ns
• Small 8 Lead SOIC Package
• Dual Gate-Drive Voltagesfor Optimal Efficiency
• Three-State Input for Bridge Shutdown
• Supply Under Voltage Protection
Applications
• Core Voltage Supplies for Intel Pentium® III, AMD® Athlon™ Microprocessors
• High Frequency Low Profile DC-DC Converters
• High Current Low Voltage DC-DC Converters
技术参数
- 产品编号：
HIP6601BCB-T
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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