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QM6007K

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

QM6007S

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

R6007ENJ

Nch600V7APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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罗姆罗姆半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    HIP6007CB-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 特殊用途稳压器

  • 应用:

    控制器,Intel Pentium® Pro,PowerP,Alpha

  • 电压 - 输入:

    2.5V ~ 12V

  • 输出数:

    1

  • 电压 - 输出:

    1.27V ~ 12V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    14-SOIC

  • 描述:

    IC REG CTRLR INTEL 1OUT 14SOIC

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更多HIP6007CB-T供应商 更新时间2025-5-10 10:55:00