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HIP2103FRTAAZ-T

60V, 1A/2A Peak, Half-Bridge Driver with 4V UVLO

• 60V maximum bootstrap supply voltage • 3.3V and 12V LDOs with dedicated enable pins (HIP2104) • 5µA sleep mode quiescent current • VDD undervoltage lockout • 3.3V or 5V CMOS compatible inputs with hysteresis • Integrated bootstrap FET (replaces traditional boot strap diode) • HIP2103 is

文件:529.07 Kbytes 页数:31 Pages

RENESAS

瑞萨

HIP2103FRTAAZ-T7A

60V, 1A/2A Peak, Half-Bridge Driver with 4V UVLO

• 60V maximum bootstrap supply voltage • 3.3V and 12V LDOs with dedicated enable pins (HIP2104) • 5µA sleep mode quiescent current • VDD undervoltage lockout • 3.3V or 5V CMOS compatible inputs with hysteresis • Integrated bootstrap FET (replaces traditional boot strap diode) • HIP2103 is

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RENESAS

瑞萨

HIP2103FRTAAZ-T

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN

Renesas Electronics America Inc

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HIP2103FRTAAZ-T7A

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN

Renesas Electronics America Inc

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产品属性

  • 产品编号:

    HIP2103FRTAAZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.63V,2.06V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8ns,2ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-TDFN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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