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HIP2101IRZT	文件：700.7 Kbytes Page：15 Pages	100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver • Drives N-Channel MOSFET Half Bridge • SOIC, EPSOIC, QFN and DFN Package Options • SOIC, EPSOIC and DFN Packages Compliant with 100V Conductor Spacing Guidelines of IPC-2221 • Pb-free Product Available (RoHS Compliant) • Bootstrap Supply Max Voltage to 114VDC • On-Chip 1Ω Bootstrap Diode • 文件：700.7 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HIP2101IRZT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HM2101	文件：385.7 Kbytes Page：5 Pages	High and Low Side Driver 文件：385.7 Kbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2101A	文件：3.89062 Mbytes Page：9 Pages	Floating channel designed for bootstrap operation 文件：3.89062 Mbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2101B	文件：580.33 Kbytes Page：9 Pages	High power MOS tube, IGBT tube gate driver chip 文件：580.33 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

产品属性

产品编号：
HIP2101IRZT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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更多HIP2101IRZT供应商更新时间2025-12-10 14:15:00

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