HIP2100EIBZT_集成电路（IC）栅极驱动器-瑞萨

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2500+	¥22.15654

厂家型号：
HIP2100EIBZT
制造商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）栅极驱动器
封装外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-4-27 15:20:00

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原厂料号：HIP2100EIBZT品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

HIP2100EIBZT是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商RENESAS/瑞萨生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘的HIP2100EIBZT栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
hip2100eibzt
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
资料说明：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

产品属性

类型
描述
产品编号：
HIP2100EIBZT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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HIP2100EIBZT

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