| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
10年
留言
|
RenesasSOIC-8EP |
980 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
|||
|
13年
留言
|
INTERSILSOP8 |
30000 |
25+ |
大量原装现货,特价甩卖! |
|||
|
9年
留言
|
IntersilSOIC-8 |
6890 |
2318+ |
长期供货进口原装热卖现货 |
|||
|
6年
留言
|
Renesas Inc电联咨询 |
7800 |
25+ |
公司现货,提供拆样技术支持 |
|||
|
5年
留言
|
Intersil8SOICEP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
5年
留言
|
Intersil8-SOIC(0.154 |
3216 |
25+ |
||||
|
6年
留言
|
Intersil8-SOIC-EP |
65200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
6年
留言
|
RENESAS-瑞萨.SOP-8.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
6年
留言
|
Intersil8-SOIC-EP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
16年
留言
|
INTERSILSOP-8 |
4035 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
10年
留言
|
INTERSILSOP-8 |
616 |
25+ |
普通 |
|||
|
6年
留言
|
INTERSILSOP-8 |
1001 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
7年
留言
|
INTERSILSOP8 |
8 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
6年
留言
|
INTERSILSOP8 |
708 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
INTERSILSOP-8 |
31060 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
|
8年
留言
|
N/A |
76000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
|||
|
13年
留言
|
INTERSILSOP8 |
30000 |
25+ |
大量原装现货,特价甩卖! |
|||
|
9年
留言
|
IntersilSOIC-8 |
6890 |
2318+ |
长期供货进口原装热卖现货 |
|||
|
8年
留言
|
INTERSILSOP8 |
32732 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
|
5年
留言
|
RENESAS(瑞萨)/IDTSOIC-8-EP |
315000 |
2447 |
98个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
HIP2100EIB采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HIP2100EIB图片
HIP2100EIBZ价格
HIP2100EIBZ价格:¥16.0524品牌:Intersil
生产厂家品牌为Intersil的HIP2100EIBZ多少钱,想知道HIP2100EIBZ价格是多少?参考价:¥16.0524。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,HIP2100EIBZ批发价格及采购报价,HIP2100EIBZ销售排行榜及行情走势,HIP2100EIBZ报价。
HIP2100EIBZ中文资料Alldatasheet PDF
更多HIP2100EIB功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP2100EIBT功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP2100EIBZ功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2100EIBZT功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
HIP2100EIB
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
9V ~ 14V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
4V,7V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
10ns,10ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC





























