Hi3516CV610数据手册HiSilicon中文资料规格书

特性 Features

处理器内核
• 支持 ARM Cortex-A7 MP2
• 时钟速率 950MHz
• 支持 32KB I-Cache、32KB D-Cache、128KB L2 cache 
• 支持 Neon 和 FPU

智能引擎
• 神经网络处理器 NPU   −支持1Tops运算性能   −支持业界上百种主流算法，支撑客户快速商用  −支持Transformer特性加速，内置专属多模态大模型  −工具支撑模型高效生产和进化   −内置人脸人形车形检测/包裹检测/宠物检测等算法
• IVE2.5 升级算子，支持运动侦测，周界防范，跟踪，透视变换，视频诊断及多种智能分析应用

AI ISP 处理
• 支持 ISP 基础功能  −支持静态和动态坏点矫正  −支持3A(AE/AWB/AF)功能，参数用户可调节  −支持镜头阴影校正
• 支持高动态范围  −支持两帧WDR融合  −支持Advanced Local Tone Mapping  −支持强光抑制和背光补偿
• 清晰度与降噪  −支持去固定模式噪声（FPN）  −运动区域效果增强算法  −支持时域和空域降噪  −支持多级运动检测  −支持分区域增强  −支持去色噪2.0 
• 颜色管理与对比度增强  −支持去紫边2.0  −支持关键色增强  −支持local动态对比度增强  −支持去雾功能
• PQ Tool 1.2

视频处理
• 支持图像 1/15.5～16x 缩放功能
• 支持镜头畸变校正 
• 支持图像 Mirror、Flip、90 度/270 度旋转

视频编码
• 新一代公共安全视频编辑码
• 支持 H.265 Main Profile Level 5
• 支持 H.264 BP/MP/HP Level 5.1编码最大分辨率为 3840×2160 
• 支持 I/P 帧
• 支持智能编码 2.0
• 支持隐私编码
• 多码流编码典型性能如下：   −3200×1800@30fps+1280×720@30fps  −3840×2160@20fps+1280×720@20fps
• 支持    CBR/VBR/ABR/AVBR/CVBR/QVBR/FIXQP/QPMAP 等多种码率控制模式 
• 输出码率最大值 80Mbps
• 支持 8 个区域的编码前 OSD 叠加
• 支持 8 个感兴趣区域（ROI）编码
• 支持 JPEG Baseline 编码
• JPGE 编码最大分辨率 16384x16384
• JPGE 最大性能编码：   −3200×1800@30fps(YUV420)  −3840×2160@20fps(YUV420)

视频输入接口
• 支持 MIPI/LVDS/Sub-LVDS/HiSPi 多种接口
• 支持 2x2-Lane 或 4-Lane 组合，最高支持 2 路sensor 输入
• 支持 8/10/12 Bit RGB Bayer
• 支持 8/10/12 Bit DVP
• 支持 BT.601、BT.656、BT.1120 视频输入接口

音频接口与处理
• 内置 Audio codec，支持 16bit 双路差分语音输入和单路单端语音输出
• 支持 1 路 I2S 接口，兼容多声道时分复用传输模式（TDM） 
• 支持多协议语音编解码
• 支持 3A（AEC/ANR/ALC）处理 2.0
• 支持降风噪算法
• 支持哭声检测 2.0，提升唤醒率

安全隔离与引擎
• 支持安全启动
• 支持安全启动
• 支持基于 TrustZone 的 REE/TEE 硬件隔离方案
• 硬件实现 AES/RSA/ECC/SHA 等多种加解密算法
• 硬件实现 SM2/3/4 国密算法 

外围接口
• 集成 FEPHY；支持 TSO 网络加速• 2 个 SDIO2.0 接口  −支持SDXC卡  −支持对接wifi模组• 1 个 USB2.0 Host/Device 接口• 支持上电复位（POR）和外部输入复位• 集成独立供电 RTC• 集成多通道 LSADC• 多个 UART、I²C、SPI、PWM、GPIO 接口

外部存储器接口
• SDRAM 接口    内置 1Gb DDR3/3L，最高速率 2133Mbps
• SPI Nor Flash 接口  −支持1、2、4线模式  −最大容量支持32MB
• SPI Nand Flash 接口  −支持1、2、4线模式  −最大容量支持512MB
• eMMC4.5 接口，4bit 数据位宽
• 可选择从 eMMC、SPI Nor/SPI Nand Flash 启动

SDK
• 支持 Linux5.10 SDK 包
• 支持 OpenHarmony 4.1

芯片物理规格
• 功耗  典型功耗：TBD 
• 工作电压  −内核典型电压为0.9V  −IO电压为1.8/3.3V  −DDR3/3L接口电压分别为1.5V/1.35V
• 工作温度：-20°C~70°C
• 封装形式  −RoHS，QFN 9mm x 9mm封装  −管脚间距：0.35mm