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Hi2825V100中文资料高性能、低功耗星闪SLE多模SoC芯片数据手册HiSilicon规格书

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厂商型号

Hi2825V100

功能描述

高性能、低功耗星闪SLE多模SoC芯片

制造商

HiSilicon HiSilicon(Shanghai) Technologies CO.,LIMITED

中文名称

海思半导体 深圳市海思半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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Hi2825V100规格书详情

描述 Description

Hi2825V100是一款高度集成2.4GHz BLE/SLE SoC解决方案,集成高性能、超低功耗的BLE5.3、SLE1.0和RF电路,RF包含功率放大器PA、低噪声放大器,天线以及电源等管理模块.

特性 Features

星闪
• 星闪低功耗SLE1.0
• 支持SLE 1MHz/2MHz/4MHz
• 最大空口速率8Mbps
• 支持Polar信道编码
• 支持最大4K回报率
• 支持无线帧类型1
• 支持无线帧类型2

蓝牙
• 低功耗蓝牙5.4
• 支持BLE 125Kbps、500Kbps、1Mbps、2Mbps
• 支持AoA Tx
• 支持BLE/WLAN 共存

MCU
• 高性能RISC-V 32bit MCU
• 工作频率96MHz
• 内置512KB SRAM
• 内置1MB Flash
• 支持eFuse/国密SM4
• 支持安全存储/安全启动

外围接口
• USB2.0 FS/HS、16bit SAR ADC、48 GPIO等
• 晶体和振荡器:32MHz晶振、32KHz晶体、32KHz RC振荡器

其他信息
• 电源电压输入范围:2.5V~4.5V,典型值3.3V
• 封装:TFBGA 6.7mmx7.3mmx0.91mm(Hi2825V100:适用于鼠标、键盘等可用大封装的产品)WLCSP 4.1mmx3.9mmx0.515mm(Hi2825WV100:适用于手写笔等需要小封装的产品) 
• 工作温度:-30 ℃~85℃

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