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HGTP2N120CN中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

HGTP2N120CN
厂商型号

HGTP2N120CN

参数属性

HGTP2N120CN 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

功能描述

13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

498.55 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 22:30:00

产品属性

  • 产品编号:

    HGTP2N120CN

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,2.6A

  • 开关能量:

    96µJ(开),355µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/205ns

  • 测试条件:

    960V,2.6A,51 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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