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HGTG18N120BND 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
HGTG18N120BND
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,18A
- 开关能量:
1.9mJ(开),1.8mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/170ns
- 测试条件:
960V,18A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 54A 390W TO247
供应商
- 企业:
深圳市恒凯威科技开发有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱小姐
- 手机:
18928498787
- 询价:
- 电话:
0755-22318162/0755-22207335
- 传真:
0755-22318162
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区101栋610A室
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