HGTD1N120BNS9A 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
HGTD1N120BNS9A
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
4500
产品封装：
TO-252
生产批号：
新批次
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2024-6-8 14:21:00

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详细信息
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原厂料号：HGTD1N120BNS9A品牌：onsemi/安森美

HGTD1N120BNS9A是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi/安森美/onsemi生产封装TO-252/TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的HGTD1N120BNS9A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
HGTD1N120BNS9A
规格书：
下载下载2
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆/仙童半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
96.46 kb
资料说明：
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTD1N120BNS9A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，1A
开关能量：
70µJ（开），90µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/67ns
测试条件：
960V，1A，82 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供应商

企业：
深圳市浩睿泽电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
罗浩
手机：
19854773352
询价：
电话：
14789300331
地址：
深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19

HGTD1N120BNS9A 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTD1N120BNS9A

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