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HGT1S14N36G3VLS分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HGT1S14N36G3VLS |
| 参数属性 | HGT1S14N36G3VLS 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 390V 18A 100W TO263AB |
| 功能描述 | 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
224.08 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | HGT1S14N36G3VLS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGT1S14N36G3VLS规格书详情
Description
This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive Switching (SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes provide ESD protection for the logic level gate. Both a series resistor and a shunt resister are provided in the gate circuit.
Features
• Logic Level Gate Drive
• Internal Voltage Clamp
• ESD Gate Protection
• TJ = 175°C
• Ignition Energy Capable
产品属性
- 产品编号：
HGT1S14N36G3VLS
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 5V，14A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/7µs
- 测试条件：
300V，7A，25欧姆，5V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
- 描述：
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
4050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TI |
23+ |
NA |
6500 |
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23+ |
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FAIRCHILD |
23+ |
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FAIRCH |
0834+ |
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询价 | |||
FSC |
23+ |
QFP |
3200 |
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TO263 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
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FS |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
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