| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
HGT1S10N120BNST
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
3580
- 产品封装：
SOT263
- 生产批号：
2021+
- 库存类型：
- 更新时间：
2024-5-2 13:36:00
首页>HGT1S10N120BNST>芯片详情
HGT1S10N120BNST_FAIRCHILD/仙童半导体_IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V亿智腾一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
HGT1S10N120BNST
- 功能描述：
IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
供应商
- 企业：
深圳市亿智腾科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
肖先生
- 手机：
15989484793
- 询价：
- 电话：
陆先生0755-82566711肖先生0755-82791230
- 传真：
0755-82791230
- 地址：
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场4705B
相近型号
- HGQ01N04A-G
- HGT1S15N120C3S
- HGQ018N03A
- HGT1S1N120BNDS
- HGQ014N04B-G
- HGT1S1N120CNDS
- HGQ014N04A-G
- HGT1S20N35G3VL
- HGQ011N03A-G
- HGT1S20N35G3VLS
- HGP210N20S
- HGT1S20N36G3VL
- HGP-12A
- HGT1S20N60A4S9
- HGP098N10AL
- HGT1S20N60A4S9A
- HGP057N15S
- HGT1S20N60B3
- HGP040N06SL
- HGT1S20N60B3S
- HGP029N06SL
- HGT1S20N60C3S
- HGP028NE6A
- HGT1S2N120BNS
- HGN320N20S
- HGT1S2N120CN
- HGN190N15S
- HGT1S2N120CNDS
- HGN042N10S
- HGT1S2N120CNS
- HGN028NE6A
- HGT1S3N60A4DS
- HGM45-63
- HGT1S3N60A4DS9A
- HGM230N10AL
- HGT1S3N60B3DS
- HGLXP610SE
- HGT1S3N60B3S
- HGLXP604SE
- HGT1S3N60C3DS
- HGLD808-200
- HGT1S5N120BNDS
- HGT1S5N120BNS
- HGK3FF152MA3BW
- HGT1S5N120CNDS
- HGT1S5N120CNS
- HGT1S7N60A4DS
- HGT1S7N60A4DS9A
- HGK110N20S
- HGJM51111T00
