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HGP093N12S

丝印:GP093N12S;Package:TO-220;120V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I

文件:826.42 Kbytes 页数:6 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体

HGQ011N03A-G

PDFN5*6

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更多HGP093N12S供应商 更新时间2026-2-8 17:30:00