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HFCD1002R4	文件：242.11 Kbytes Page：1 Pages	Indoor Distribution Cable Riser 文件：242.11 Kbytes 页数：1 Pages	HUBBELL	HUBBELL
PREMISE_HFCD1002R4	文件：242.11 Kbytes Page：1 Pages	Indoor Distribution Cable Riser 文件：242.11 Kbytes 页数：1 Pages	HUBBELL	HUBBELL
APT1002R4AN	文件：310.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：310.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT1002R4BN	文件：360.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：360.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT1002R4BN	文件：50.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：50.45 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW

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