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ISB3046	文件：276.04 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=350V ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoTypeISB3047 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LM3046	文件：179.01 Kbytes Page：6 Pages	LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3046	文件：197.69 Kbytes Page：6 Pages	TransistorArray	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3046	文件：892.87 Kbytes Page：13 Pages	TransistorArray	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM3046	文件：640.04 Kbytes Page：7 Pages	TransistorArray GeneralDescription TheLM3046consistsoffivegeneralpurposesiliconNPN transistorsonacommonmonolithicsubstrate.Twoofthe transistorsareinternallyconnectedtoformadifferentiallyconnected pair.Thetransistorsarewellsuitedtoawide varietyofapplicationsinlowpowersyst	SYC SYC Electronica	SYC
LM3046M	文件：892.87 Kbytes Page：13 Pages	TransistorArray	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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产品属性

产品编号：
HFA3046BZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
5 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

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