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HERAF808G中文资料80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier数据手册TSC规格书

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厂商型号

HERAF808G

参数属性

HERAF808G 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC

功能描述

80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier

封装外壳

TO-220-2 整包

制造商

TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd

中文名称

台湾半导体 台湾半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:09:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HERAF808G

  • 生产厂家

    :TSC

  • trr (ns)

    :80

  • VRRM (V)

    :1000

  • IF(AV) (A)

    :8

  • IFSM (A)

    :150

  • Technology

    :GPP

  • IR (µA)

    :10

  • VF (V)

    :1.7

  • Status

    :Active

  • AEC-Q

    :Yes

  • TJ Max. (°C)

    :150

  • Family

    :High Efficient

  • MSL

    :NA

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