HERAF808G中文资料80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier数据手册TSC规格书

厂商型号 |
HERAF808G |
参数属性 | HERAF808G 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC |
功能描述 | 80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
封装外壳 | TO-220-2 整包 |
制造商 | TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
中文名称 | 台湾半导体 台湾半导体股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 12:09:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:HERAF808G
- 生产厂家
:TSC
- trr (ns)
:80
- VRRM (V)
:1000
- IF(AV) (A)
:8
- IFSM (A)
:150
- Technology
:GPP
- IR (µA)
:10
- VF (V)
:1.7
- Status
:Active
- AEC-Q
:Yes
- TJ Max. (°C)
:150
- Family
:High Efficient
- MSL
:NA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
BGA |
5825 |
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TI |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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Taiwan Semiconductor Corporati |
25+ |
ITO-220AC |
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美台 |
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TO-220F |
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TSC台半 |
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TO220F-2 |
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TI |
16+ |
BGA |
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原装 |
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TI |
25+ |
BGA |
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TI |
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BGA |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
TSC/台湾半导体 |
23+ |
TO220F-2 |
50000 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
BGA |
1399 |
询价 |