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HER606G中文资料PDF规格书

HER606G
厂商型号

HER606G

参数属性

HER606G 封装/外壳为R-6,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

功能描述

CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

文件大小

305.85 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Daesan Electronics Corp.
企业简称

DAESAN

中文名称

Daesan Electronics Corp.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 23:00:00

HER606G规格书详情

Features

· Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

· Low forward voltage drop

· High current capability

· High reliability

· Low power loss, high effciency

· Glass passivated junction

· High speed switching

· Low leakage

产品属性

  • 产品编号:

    HER606G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    65pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    R-6,轴向

  • 供应商器件封装:

    R-6

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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