HER603G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HER603G |
| 参数属性 | HER603G 封装/外壳为R-6，轴向；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 6A 200V R-6 |
| 功能描述 | High Efficient Rectifier HER601G Through HER608G |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | R-6 / R-6，轴向 |
| 文件大小 |
2.85803 Mbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | RFE international |
| 企业简称 |
RFE【RFE国际公司】 |
| 中文名称 | RFE国际股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-3 8:24:00 |
| 人工找货 | HER603G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HER603G规格书详情
Features
High efficiency
High current capability
High Reliability
High surge current capability
Glass passivated chip junction
Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106
产品属性
- 产品编号：
HER603G
- 制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
管件
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
6A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
80pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
R-6，轴向
- 供应商器件封装：
R-6
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 6A 200V R-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Surge Components |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
SUNMATE(森美特) |
24+ |
R6 |
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SUNMATE森美特 |
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NA/ |
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NA |
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MIC |
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