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HER603G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

HER603G

参数属性

HER603G 封装/外壳为R-6,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 6A 200V R-6

功能描述

HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

封装外壳

R-6,轴向

文件大小

66.77 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

JINGHENG

中文名称

晶恒

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 9:09:00

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HER603G规格书详情

Reverse Voltage: 50 to 1000 Volts

Forward Current: 6.0 Amperes

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

• Low power loss, high efficiency

• High surge current capability

• High speed switching, Low leakage

• Low forward voltage drop

• High current capability, High reliability

• High temperature soldering guaranteed:260°C/10 seconds at terminals

• Component in accordance to RoHS 2011/65/EU

产品属性

  • 产品编号:

    HER603G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    80pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    R-6,轴向

  • 供应商器件封装:

    R-6

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 6A 200V R-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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