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HEM387C	文件：108.56 Kbytes Page：1 Pages	Broadband Amplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEM387D	文件：115.58 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEM387E	文件：91.43 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HES387E	文件：91.43 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HVB387BWK	文件：170.9 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVB387BWK	文件：36.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
INTEL387TMDX	文件：435.52 Kbytes Page：41 Pages	Intel387TMDXMATHCOPROCESSOR Intel387™DXMATHCOPROCESSOR TheIntel387TMDXMathCoProcessor(MCP)isanextensionoftheIntel386TMmicroprocessorarchitecture.ThecombinationoftheIntel387DXMCPwiththeIntel386TMDXMicroprocessordramaticallyincreasestheprocessingspeedofcomputerapplicationsoftwarewhichuti	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
ISCNH387W	文件：388.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordr	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCNH387W	文件：388.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordr	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J387S	文件：269.73 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)1MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100%RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
HEM387C
制造商：
BOWEI
制造商全称：
BOWEI
功能描述：
Broadband Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	HEM387C	BOWEI	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
北京三盛恒业电子有限公司	HEM388E	CHINA13	1415+	微波集成电路	4	原装现货实单可谈	询价
深圳市达恩科技有限公司	HEM554D	VCO	24+	NA	185	进口原装正品优势供应	询价
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更多HEM387C供应商更新时间2025-5-28 16:41:00

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