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INA332AIDGKT	文件：292.52 Kbytes Page：17 Pages	Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA332AIDGKT	文件：994.65 Kbytes Page：22 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA332AIDGKT	文件：643.16 Kbytes Page：24 Pages	Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS FEATURES DESIGNEDFORLOWCOST HIGHGAINACCURACY:G=5,0.07%,2ppm/°C GAINSETWITHEXT.RESISTORSFOR>5V/V HIGHCMRR:73dBDC,50dBat45kHz LOWBIASCURRENT:0.5pA BANDWIDTH,SLEWRATE:2.0MHz,5V/μs RAIL-TO-RAILOUTPUTSWING:(V+)–0.02V WIDETEMPERATURERANGE:–55°Cto+125°C	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
INA332AIDGKT.B	文件：643.16 Kbytes Page：24 Pages	Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS FEATURES DESIGNEDFORLOWCOST HIGHGAINACCURACY:G=5,0.07%,2ppm/°C GAINSETWITHEXT.RESISTORSFOR>5V/V HIGHCMRR:73dBDC,50dBat45kHz LOWBIASCURRENT:0.5pA BANDWIDTH,SLEWRATE:2.0MHz,5V/μs RAIL-TO-RAILOUTPUTSWING:(V+)–0.02V WIDETEMPERATURERANGE:–55°Cto+125°C	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
IP332	文件：589.21 Kbytes Page：1 Pages	4xDDR3DIMM,Max.32GB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF332	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF332	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF332	文件：49.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF332	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	IRF330-333/IRF730-733MTM/MTP5N35/5N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF332	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
HCZ332BCKR
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HCZ332MBCDJ0KR	VISHAY(威世)	24+	插件,P=10mm	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	HCZ472KBCEH0KR		24+	N/A	52000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	HCZ500E03	Yantel			200		询价
北京京北通宇电子元件有限公司	HC-ZE-2ALT	HCTL	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	HC-ZE-3ALT	HCTL/华灿天禄	24+	con	20000	国产代理品牌价格交期有优势欢迎询价	询价

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