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HCT802TXV	文件：233.77 Kbytes Page：2 Pages	Dual En hance ment Mode MOSFET Description HCT802 offers an N-Channel and PChannel MOS transistor in a hermetic ceramic surface mount package. The devices used are similar to industry standards 2N6661 N-Channel device and VP1008 P-Channel device. These two enhancement mode MOSFETS are particularly well matched for VDS, IDS(on 文件：233.77 Kbytes 页数：2 Pages	Optek	Optek
HEP802	文件：256.88 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT 8.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS 文件：256.88 Kbytes 页数：2 Pages	DAESAN	DAESAN
HER802	文件：24.81 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 8.0 Amperes) 文件：24.81 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
HER802	文件：162.19 Kbytes Page：2 Pages	8.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 8.0 Ampere FEATURES * Low forward voltage drop * High current capability * High reliability * High surge current capability * High speed switching 文件：162.19 Kbytes 页数：2 Pages	BYTES	BYTES

详细参数

型号：
HCT802TXV
功能描述：
MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多HCT802TXV供应商更新时间2025-12-8 16:07:00

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