| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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Optek (TT Electronics) |
1 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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6年
留言
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TTSMD |
326 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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7年
留言
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TT ELECTRONICSQFN |
14 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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TTELECTRONICSQFN |
14 |
23+ |
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6年
留言
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IRC-TTSMD-3.贴片 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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OPTEK车规-光电器件 |
26800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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TT Electronics/Optek Technolog3SMD No Lead |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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TT3-SMD |
6000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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TT- |
81000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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6年
留言
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TT ELECTRONICSQFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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N/A |
51000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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6年
留言
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TTELECTRONICSQFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Optek (TT Electronics) |
1 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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3年
留言
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TT/OPTEKNA |
10000 |
25+ |
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单 |
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6年
留言
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TTSMD |
96 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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IRC-TTSMD-3.贴片 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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OPTEK车规-光电器件 |
26800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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IRC-TTSMD-3.贴片 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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TT Electronics/Optek Technolog3SMD No Lead |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
留言
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TT Electronics/Optek Technolog3SMD No Lead |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
HCT700采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HCT700图片
HCT7000M中文资料Alldatasheet PDF
更多HCT700功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
HCT7000功能描述:N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor
HCT7000M功能描述:MOSFET N-Chan Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HCT7000MTX功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HCT7000MTXV功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HCT700TX功能描述:两极晶体管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
HCT700TXV功能描述:两极晶体管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
HCT700
- 制造商：
TT Electronics/Optek Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
800mA，600mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V，60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 1mA，10V
- 功率 - 最大值：
400mW
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-SMD，无引线
- 描述：
TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT
