HCS165D中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	HCS165D
功能描述	Radiation Hardened Inverting 8-Bit Parallel-Input/Serial Output Shift Register
文件大小	410.53 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-22 16:00:00
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Features

• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS

• Total Dose 200K RAD (Si)

• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg

• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/

Bit-Day (Typ)

• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s

• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse

• Latch-Up Free Under Any Conditions

• Fanout (Over Temperature Range)

- Standard Outputs - 10 LSTTL Loads

• Military Temperature Range: -55oC to +125oC

• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs

• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V

• Input Logic Levels

- VIL = 0.3 VCC Max

- VIH = 0.7 VCC Min

• Input Current Levels Ii  5A at VOL, VOH

型号：
HCS165D
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Inverting 8-Bit Parallel-Input/Serial Output Shift Register