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HCPL-2730TV	文件：561.75 Kbytes Page：15 Pages	LOWINPUTCURRENTHIGHGAINSPLITDARLINGTONOPTOCOUPLERS Description The6N138/9andHCPL-2730/HCPL-2731optocouplersconsistofanAlGaAsLEDopticallycoupledtoahighgainsplitdarlingtonphotodetector. Thesplitdarlingtonconfigurationseparatingtheinputphotodiodeandthefirststagegainfromtheoutputtransistorpermitsloweroutputsatur	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HCPL-2730V	文件：575.4 Kbytes Page：15 Pages	LowInputCurrentHighGainSplitDarlingtonOptocouplers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HCPL-2730WV	文件：575.4 Kbytes Page：15 Pages	LowInputCurrentHighGainSplitDarlingtonOptocouplers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HM2730	文件：1.05834 Mbytes Page：18 Pages	Highprecisionnon-isolatedbuckdriver Overview HM2730isahigh-precision,low-costPWMcontrollednon-isolatedstep-downdriverchip.ThechipusesadedicatedcurrentcontrolloopstructureandhighDynamicresponsedetectioncircuit.HM2730Built-inhigh-voltagepowerMOS,whichgreatlyreducesthesystemcost.HM27300Thebuilt-in	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ICPL2730	文件：73.45 Kbytes Page：4 Pages	HIGHSPEEDDUALCHANNELOPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTODARLINGTONOUTPUT [Isocom] DESCRIPTION Thesedualchanneldiode-darlingtonoptocouplersuseapairoflightemittingdiodesandanintegratedhighgainphotondetectorstoprovide2500VoltsRMSelectricalisolationbetweeninputandoutput.Seperateconnectionforthephotodiodebiasandoutputdarlingtonc	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LA2730	文件：39.26 Kbytes Page：1 Pages	DOLBYB-TYPENOISEREDUCYIONSYSTEM LA2500-PSEUDOCLASSABIASCIRCUITFORPOWERAMP LA2600-DUALATTENUATOR(ELECTRONICVOLUMECONTROL) LA2730-DOLBYB-TYPENOISEREDUCTIONSYSTEM LA3160-2-CHANNEL9VEQUALIZERAMP.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LWTN-2730	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

详细参数

型号：
HCPL2730_Q
功能描述：
高速光耦合器 DIP-8 DUAL PH DARL
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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