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HCPL0531中文资料SO8,1MBIT/S 高速双沟道晶体管 — 1kV/us数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HCPL0531

功能描述

SO8,1MBIT/S 高速双沟道晶体管 — 1kV/us

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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HCPL0531规格书详情

描述 Description

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED,它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏置使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL04XX器件不具有向外焊接到引脚以获得额外噪声容限的基极。 HCPL053X器件的每种封装具有两个通道,可获得最佳的安装密度。

特性 Features

•高速 Ð 1 MBit/s
•VCM=1500V (HCPL0453/0534)时的共模瞬变抑制最小值为 15kV/µs
•集电极开路输出
•在以下温度范围内保证性能: 0°C 至 70°C
•U.L. 认证(文件编号E90700)
•VDE0884认证(文件编号136616)
•对HCPL0530/0531/0453的认证待审批
•订购选件V,例如,HCPL0500V
•BSI认证(文件编号8661、8662)
•仅限于 HCPL0452/0500/0501

应用 Application

• 发电和配电
• 工业级电机
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :HCPL0531

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Data Rate

    :1

  • VCC (Min) (V)

    :-0.5

  • VCC (Max) (V)

    :30

  • Channels

    :2

  • CTR (Min) (%)

    :19

  • CTR (Max) (%)

    :50

  • CTR Tested @IF

    :16

  • VOL (Max) (V)

    :0.5

  • ICCL (Max) (mA)

    :0.4

  • ton (Max) (µs)

    :0.8

  • toff (Max) (µs)

    :0.8

  • CMR (Typ) (kV/µs)

    :10

  • VISO (Min) (V)

    :2500

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :85

  • Package Type

    :SOIC-8

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