HCPL-570K

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

Description Theseunitsaresingle,dual,andquadchannel,hermeticallysealedoptocouplers.TheproductsarecapableofoperationandstorageoverthefullmilitarytemperaturerangeandcanbepurchasedaseithercommercialproductorwithfullMIL-PRF-38534ClassLevelHorKtestingorfrom

HCPL-570K

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

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HCPL-570K

密封型、低 IF、宽 Vcc、高增益光电耦合器; ·最高可靠性、单通道、8 引脚 DIP\n ·-55°C 到 +125°C 性能保证\n ·MIL-PRF-38534 K 类，QML-38534\n ·器件零件编号和 DLA 标准微型电路图纸双重标记\n ·高抗幅射能力\n ·可靠性数据\n ·五种密封型封装配置\n ·双通道和四通道器件（封装可能不同）\n ·低输入电流要求：0.5mA\n ·通常在 IF = 0.5mA 时，电流传输比高达到 1,500%\n ·低输出饱和电压：0.11V 典型值\n ·1,500 Vdc 耐压\n;

HCPL-570K 是采用 8 引脚陶瓷 DIP 封装且具有最高级别可靠性（K 类）的单通道密封型光电耦合器。同时提供镀金引脚、浸锡引脚及其他多种引脚形式选择。请参阅数据表获取详细信息。该产品能够在全部军事化温度范围内运行和存储，并且可以作为商业级搭配全部 MIL-PRF-38534 类 H 级测试购买或从 DLA SMD 5962-89810 中选购。HCPL-570K 在 MIL-PRF-38534 认证线路上进行生产和测试，并且被纳入混合型微型电路 QML-38534 DLA 合格制造商名单中。该器件包含 GaAsP 发光二极管，可以通过光电耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级采用集电极开路输出，既提供饱和电压，也可以提供比常规光达灵顿光耦合其更高的信号传输速度。芯片工艺的浅深度和小结设计带来比传统光晶体管耦合器更佳的抗辐射能力。电源电压可以低至 2.0V，而不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入 0.5mA 电流时具有 300% 的最小 CTR，因此非常适用于低输入电流应用，如 MOS、CMOS、低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在 18V 电压下指定的 Icch 和 Ioh 来确保与高压 CMOS 逻辑系统的兼容性。该芯片组的单通道、双通道或四通道封装类型为 8 引脚 DIP 直插型和 16 引脚 DIP 直插型，16 引脚表面贴装 DIP 扁平封装以及 20 接点无引线陶瓷载体封装。大部分器件可具有多种引脚类型和电镀方案选择。请参阅数据表获取详细信息。由于数据表中所列出每个器件的通道都使用相同电气特性的芯片，包括发射器和探测器，因此几乎所有产品的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等几乎完全相同，如有基于封装变化和限制造成的部分例外会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工艺和材料，这样的相似性可实现使用从一个部件上获得的数据来代表其他部件的性能，以保证可靠性及部分有限辐射测试结果。

HCPL-570K

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

HCPL-570K-100

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

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HCPL-570K-200

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

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HCPL-570K-300

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

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HCPL-570K-600

Hermetically Sealed, Low IF, Wide VCC, High Gain Optocouplers

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